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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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C6D06065G分立碳化硅肖特基二極管

型號： C6D06065G

--- 產品參數 ---

  • 重復峰值反向電壓 650V
  • 直流阻斷電壓 650V
  • 功耗 73-31W
  • 總電容電荷 22nC
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to+150?C

--- 產品詳情 ---

C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯以滿足各種應用要求，而不用擔心熱失控。 結合降低冷卻要求并改善熱SiC產品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應用中降低整體系統成本。

C6D06065G


好處
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件


特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數
? 零反向恢復電流/正向
恢復電壓
? 與溫度無關的開關行為
? 低漏電流 (IR)

應用
? 工業電源
? 開關模式電源
? 服務器/電信電源
? 功率因數校正
? 太陽能逆變器
? 不間斷電源供應


重復峰值反向電壓:650V
直流阻斷電壓：650V
功耗：73-31W
總電容電荷：22nC
工作結溫和存儲溫度:-55to+150?C

 

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