C6D10065G是650 V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標準，同時還達到更高的頻率和功率密度。SiC二極管可輕松并聯以滿足各種應用要求，而不用擔心熱失控。 結合降低冷卻要求并改善熱SiC產品的性能，SiC二極管能夠提供在各種不同的應用中降低整體系統成本。
特征
? 低正向電壓（VF) 以正面下降
溫度系數
? 零反向恢復電流/正向
恢復電壓
? 與溫度無關的開關行為
? 低電感的薄型封裝
應用
? 企業電源、服務器和電信
電源
? 開關模式電源
? 工業電源
? 提升功率因數校正
? 自舉二極管
? LLC 鉗位
重復峰值反向電壓：650V
直流阻斷電壓:650V
最大持續電流：10A
總電容電荷：34 nC
功耗：108W
電容儲能：5.2μJ
外殼和存儲溫度：-55 to +150°C
最高加工溫度:325°C
相關型號
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