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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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CMPA1C1D080F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CMPA1C1D080F

--- 產品參數 ---

  • 90 W 典型 P >21% 典型功率附加效率
  • 小信號增益 25 dB
  • 總輸出功率 -30 dBc IM3 時總輸出功率為 20 W
  • 工作電壓 工作電壓高達 40 V

--- 產品詳情 ---

Cree 的 CMPA1C1D080F 是一種封裝的 90 W HPA，利用 Cree 的高性能，0.25um GaN on SiC生產工藝。 工作頻率為 12.75 - 13.25 GHz范圍針對衛星通信，CMPA1C1D080F 提供 3 階總輸出功率為 20 W 時的互調性能為 -30 dBc。 對于特殊的熱管理，HPA 采用螺栓固定法蘭封裝。

CMPA1C1D080F

 


特征
90 W 典型 PSAT >21% 典型功率附加效率
25 dB 小信號增益
-30 dBc IM3 時總輸出功率為 20 W
工作電壓高達 40 V

應用
衛星通信上行


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