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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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CMPA801B025P HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)

型號(hào)： CMPA801B025P

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 小信號(hào)增益 28 dB
  • 典型 PSAT 35 W
  • 工作電壓 高達(dá) 28 V
  • 擊穿電壓 高擊穿電壓
  • 操作溫度 高溫操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 MMIC 包含兩級(jí)無(wú)功匹配放大器設(shè)計(jì)方法，可實(shí)現(xiàn)非常寬的帶寬。它可以在模具中使用；10 引腳金屬/陶瓷法蘭封裝 (CMPA801B025F) 或小尺寸藥丸封裝 (CMPA801B025P)，可實(shí)現(xiàn)最佳電氣和熱性能。

CMPA801B025P

 

特征
28 dB 小信號(hào)增益
35 W 典型 PSAT
工作電壓高達(dá) 28 V
高擊穿電壓
高溫操作


應(yīng)用
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
通訊
測(cè)試儀器
EMC 放大器

 

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