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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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GTRA360502M-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： GTRA360502M-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 峰值:P3dB 36w
  • 典型脈沖 連續(xù)波性能
  • 占空比 10%
  • 輸出功率為P3dB 50w
  • 排水效率 62%

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTRA360502M有兩個GaN-on-SiC功率晶體管用于非對稱多赫蒂功率放大器。設備已經(jīng)設計好了用于通信基礎設施應用，從3400兆赫到3800 MHz。它的工作電壓高達50伏，并提供最大平均輸出功率為8瓦。

GTRA360502M-V1

 

 

特性
GaN on SiC HEMT技術(shù)
不對稱的多爾蒂設計
—主:P3dB = 20w
—峰值:P3dB = 36w
典型脈沖連續(xù)波性能，3600mhz, 48v, 10 μs
帶寬，占空比10% (Doherty配置)
-輸出功率為P3dB = 50w
-排水效率= 62% @ 50w
人體模型1A類(根據(jù)ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛，符合RoHS要求
低的熱阻

 

應用
蜂窩功率放大器

 

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