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GTRA364002FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： GTRA364002FC-V1

--- 產品參數(shù) ---

  • 典型的脈沖連續(xù)波性能 3400-3600兆赫
  • P3dB 時的輸出功 400 W
  • 效率 60%
  • 增益 14 分貝
  • 10:1 VSWR 48 V

--- 產品詳情 ---

描述
GTRA364002FC 是一款 400 瓦 (PSAT) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，設計用于多標準蜂窩功率放大器應用。它具有輸入匹配功能；高效率; 以及帶有無耳法蘭的熱增強封裝。
 

GTRA364002FC-V1

 

 

特征
輸入匹配
非對稱 Doherty 設計：主 P3dB 170 W Typ；峰值 P3dB 230 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能；3400-3600兆赫；48 伏；綜合產出
P3dB 時的輸出功率 400 W
效率 60%
增益 14 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @48 V；50 W (WCDMA) 輸出功率
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標準

 

應用
多標準蜂窩功率放大器

 

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