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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： GTRA412852FC-V1

--- 產品參數 ---

  • 典型的脈沖連續波性能 960 – 1215 兆赫
  • 脈沖寬度 128 μs
  • 占空比 10%
  • P3dB輸出功率 1400 W
  • 效率 68%

--- 產品詳情 ---

描述
GTVA101K4 是一款專為高效設計的 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。這使得 GTVA101K4 非常適合 0.96 – 1.4 GHz 頻段的應用。該晶體管可用于從 UHF 到 1.4 GHz 的特定頻段應用。
 

GTRA412852FC-V1

 

 

特征
輸入匹配
典型的脈沖連續波性能；960 – 1215 兆赫；50伏；單面；128 μs 脈沖寬度；10% 占空比；P3dB = 1400 W 時的輸出功率；效率 = 68%；增益 = 17 分貝
無鉛且符合 RoHS 標準

 

應用
雷達放大器

 

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