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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTVA126001EC-V1

--- 產品參數 ---

  • 占空比; 10%
  • 輸出功率(P3dB) 600W
  • 排水效率 65%;
  • 增益 18 分貝
  • IDQ 100 毫安

--- 產品詳情 ---

描述
GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于 1200 至 1400 MHz 頻段。它們具有輸入匹配功能;高效率; 和熱增強封裝。
 

GTVA126001EC-V1

 

 

特征
輸入匹配
典型的脈沖連續(xù)波性能(AB 級);1200兆赫;
50伏;300 μs 脈沖寬度;
10% 占空比;
輸出功率(P3dB)=600W;
排水效率 = 65%;
增益 = 18 分貝
能夠在脈沖條件下以 600 W 峰值功率承受 10:1 負載失配(所有相位角):300 μs 脈沖寬度;10% 占空比;VDD = 50 V;IDQ = 100 毫安
人體模型 1C 類(根據 AnSI/ESDA/JEDEC JS-001)
無鉛且符合 RoHS 標準


應用
雷達放大器


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