PN8200 電源X電容放電芯片-PN8200電路圖
型號:
PN8200SEC-R1
PN8200 電源X電容放電芯片特征
■ 內置1000V高雪崩能力的VDMOS
■ 無外部GND引腳,抗干擾能力強
■ AC電壓接入后阻止X電容放電
■ AC電壓斷電后通過放電電阻對X電容放電
■ X電容容值靈活調節,優化EMI設計
■ 芯片自偏置,無需外部偏置
■ 兩端子結構,滿足安規標準
■ 內部限制最大放電電流
■ 通過IEC 62368-1:2014認證