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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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70U02GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 70U02GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳述:

MOSFET型號:70U02GH-VB  
封裝:TO252  
構(gòu)型:單N溝道  
耐壓(VDS):30V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.7V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):80A  
技術(shù):Trench  

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO252,適合中功率應(yīng)用,具有較好的散熱性能。
- **構(gòu)型**:單N溝道設(shè)計(jì),優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度。
- **耐壓**:30V,適用于低電壓電源和電路控制應(yīng)用。
- **柵極驅(qū)動**:支持高達(dá)±20V的柵極-源極電壓,提供靈活的控制。
- **閾值電壓**:1.7V,確保低壓下的良好開啟和關(guān)閉特性。
- **導(dǎo)通電阻**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V,低導(dǎo)通電阻在低電壓下有效降低功率損耗。
 - 5mΩ @ VGS=10V,進(jìn)一步降低功率損耗,適合高電壓操作。
- **漏極電流**:80A,能夠處理高電流負(fù)載的需求。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源管理**:70U02GH-VB TO252 MOSFET 可用于電源管理模塊,如開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng),在高效的電能轉(zhuǎn)換中提供低損耗和高性能。

2. **電動工具**:適用于電動工具的電機(jī)控制和功率放大器,確保在高負(fù)載條件下的可靠性和長壽命。

3. **服務(wù)器電源**:在高性能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理單元中,用作功率開關(guān)和穩(wěn)壓器,提供穩(wěn)定的電力輸出和節(jié)能優(yōu)勢。

4. **汽車電子**:用于汽車電子系統(tǒng),如電動車輛的電池管理和電動驅(qū)動控制,支持高效的能源轉(zhuǎn)換和動力管理。

這些示例展示了70U02GH-VB TO252 MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,顯示了其在低壓、高功率應(yīng)用中的優(yōu)異性能和適用性。

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