--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
VBsemi 80N055DG-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝,設計用于高性能電源管理和開關電路應用。具有60V的最大漏源電壓和極低的導通電阻,適合在需要處理高電流和高功率的電子設備和系統中使用。
### 二、詳細參數說明
- **型號**: 80N055DG-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: 20V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術**: Trench
### 三、適用領域和模塊
1. **電源模塊**
80N055DG-VB 可以廣泛應用于各種電源模塊和開關電源應用,如電動工具、電動車輛的電機驅動控制、服務器和數據中心設備的電源管理等。其低導通電阻和高電流承載能力使其能夠在電源管理系統中提供高效率和穩定性。
2. **電動工具**
在需要高功率輸出和快速開關的電動工具中,如電動鉆、電錘等,該MOSFET可以作為電機驅動器的關鍵組成部分,確保設備的高效性能和可靠性。
3. **電動車輛**
80N055DG-VB 在電動車輛的電動控制系統中可以用作電池管理和功率分配的關鍵元件,支持高功率充放電和電動車輛的動力輸出。
4. **服務器和數據中心設備**
在需要處理大電流和高功率輸出的服務器和數據中心設備中,該器件可以用于電源轉換和電源管理,確保設備的穩定運行和能效優化。
綜上所述,VBsemi 80N055DG-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,適用于電源管理、電動工具、電動車輛以及服務器和數據中心設備等多個領域,特別適合需要高功率和高效率的電子系統應用。
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