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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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GTVA212701FA-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： GTVA212701FA-V2

--- 產品參數 ---

  • 占空比 10%
  • 輸出功率 P3dB 300 W
  • 效率 68.5%
  • 增益 17.5 分貝
  • (WCDMA) 輸 56.2 W

--- 產品詳情 ---

描述
GTVA212701FA 是一款 270 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，用于 2110 至 2200 MHz 頻段。它具有輸入匹配功能；高效率; 和一個熱增強的無耳封裝。
 

GTVA212701FA-V2

 

 

特征
輸入匹配
典型的脈沖連續波性能；2180兆赫；48 伏；10% 占空比
輸出功率 P3dB 300 W
效率 68.5%
增益 17.5 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @ 48 V；56.2 W (WCDMA) 輸出功率
無鉛且符合 RoHS 標準

應用
多標準蜂窩功率放大器


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