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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)

型號： WSGPA01-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作頻率： 高達(dá) 5 GHz
  • P3dB： 高達(dá) 10 W
  • 電源電壓： 高達(dá) 50 V
  • 技術(shù) GaN on SiC HEMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
WSGPA01 是一款 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)，設(shè)計用于高達(dá) 5 GHz 的應(yīng)用。該器件在高達(dá) 50 V 的電源電壓下工作，可實現(xiàn) 10 W 的 P3dB。它采用 3 mm X 4 mm DFN 封裝。雖然它專為具有降低波峰因數(shù)和數(shù)字預(yù)失真 LTE 或 5G NR 信號的通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用而設(shè)計；它可能適用于頻率高達(dá) 5 GHz 的其他應(yīng)用；僅受其最大工作條件的限制。

WSGPA01-V1

 


特征
GaN on SiC HEMT 技術(shù)
工作頻率：高達(dá) 5 GHz
P3dB：高達(dá) 10 W
電源電壓：高達(dá) 50 V
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器


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