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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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PXAE183708NB-V1 大功率射頻 LDMOS FET 320 W CREE

型號(hào)： PXAE183708NB-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 峰值 P3dB 315 W 典型值
  • P1dB 時(shí)的輸出功 320 W
  • P3dB 時(shí)的輸出功 430 W
  • 排水效率 60%
  • 增益 13.5 分貝

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
PXAE183708NB 是一款 320 瓦 LDMOS FET，旨在用于 1805 至 1880 MHz 頻段的多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。特征包括輸入和輸出匹配；帶無耳法蘭的高增益和熱增強(qiáng)封裝。采用先進(jìn)的 LDMOS 工藝制造；該器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。

PXAE183708NB-V1

 


特征
寬帶內(nèi)部輸入輸出匹配
非對(duì)稱 Doherty 設(shè)計(jì)：主 P3dB = 160 W Typ；峰值 P3dB = 315 W 典型值
典型的脈沖連續(xù)波性能；1880兆赫；28 伏；多爾蒂配置；AB類（主要）；C 類（峰值）：P1dB 時(shí)的輸出功率 = 320 W；P3dB 時(shí)的輸出功率 = 430 W；排水效率 = 60%；增益 = 13.5 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @ 28 V；54 W (1C WCDMA) 輸出功率
無鉛；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器


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