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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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PTVA127002EV-V1 高功率射頻 LDMOS FET 700 W CREE

型號： PTVA127002EV-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 效率 高增益和高效率
  • 集成 ESD 保護
  • 堅固性 出色的堅固性
  • 標準 無鉛且符合 RoHS

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
PTVA127002EV LDMOS FET 設(shè)計用于 1200 至 1400 MHz 頻段的功率放大器應(yīng)用。特點包括高增益和帶有螺栓固定法蘭的熱增強封裝。采用先進的 LDMOS 工藝制造；該器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。

PTVA127002EV-V1

 


特征
寬帶輸入輸出匹配
高增益和高效率
集成 ESD 保護
人體模型 2 類（根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
低熱阻
出色的堅固性
無鉛且符合 RoHS 標準

應(yīng)用
1200 至 1400 MHz 頻段的功率放大器；雷達


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