Qorvo 的 QPD0007 是一款單路徑分立式 GaN 晶體管，工作頻率范圍為 DC 至 5 GHz。它是一個(gè)單級(jí)晶體管，提供 43 dBm 的飽和輸出功率，效率高達(dá) 73%。這種符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的晶體管需要 48 V 的直流電壓并消耗 32.5 mA 的電流。它采用 GaN on SiC HEMT 工藝制造，采用尺寸為 4.5 x 4.0 mm 的 DFN 封裝。該晶體管可用于 WCDMA/LTE、宏蜂窩/微蜂窩基站、小型蜂窩、有源天線、5G 大規(guī)模 MIMO 和通用應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號(hào)                   QPD0007

制造商                  科爾沃

描述                     20 W GaN on SiC HEMT，從直流到 5 GHz

一般參數(shù)

晶體管類型          HEMT

技術(shù)                    碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)             無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施，蜂窩

應(yīng)用                   5G Massive MIMO、W-CDMA / LTE、Microcell 基站、Small Cell、有源天線

頻率                  直流至 5 GHz

飽和功率           43分貝

獲得                 19分貝

電源電壓           48 V（漏極）

排水效率           73%

漏電流              32.5 毫安

無(wú)鉛                 是的

包裝類型         表面貼裝

包裹                東風(fēng)

方面                4.5 x 4.0 毫米

RoHS              是的

年級(jí)                商業(yè)，空間合格

相關(guān)型號(hào)  

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