Qorvo 的 QPD1006 是一款 GaN-on-SiC HEMT 晶體管，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz。它提供 313 瓦的 CW 輸出功率，增益為 17.5 dB，脈沖功率為 468 瓦，增益為 17.8 dB，漏極效率超過(guò) 55%。

該器件內(nèi)部匹配 50 歐姆，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝。這種符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 GaN IMFET 晶體管非常適合軍用和民用雷達(dá)應(yīng)用，并且可以支持脈沖和 CW 操作。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號(hào)             QPD1006

制造商             科爾沃

描述               GaN-on-SiC HEMT 晶體管從 1.2 到 1.4 GHz

一般參數(shù)

晶體管類型      HEMT

技術(shù)                碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)          航空航天與國(guó)防，雷達(dá)

連續(xù)波/脈沖     脈沖，連續(xù)波

頻率               1.2 至 1.4 GHz

力量               54.96 dBm（CW，3dB 壓縮），56.7 dBm（脈沖

功率(W)          313 W（CW，3dB 壓縮），468 W（脈沖

脈沖寬度         100 我們

占空比            10%

獲得               17.5 分貝（連續(xù)），17.8 分貝（脈沖）

電源電壓        45 V（CW），50 V（脈沖）

當(dāng)前的           750毫安

包裝類型       陶瓷制品

RoHS            是的

工作溫度       -40 至 85 攝氏度

貯存溫度       -65 至 150 攝氏度

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