--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 零件號 MASW-011151
- 描述 SPDT 反射式開關(guān) DC - 67 GHz,超寬帶
- 最大頻率(MHz) 67000
- 插入損耗 (dB) 1.300
- IIP3(dBm) 52
- IP1dB(dBm) 28
- 包裝類別 層壓板
- 包裹 2.25 毫米,12 引線
--- 產(chǎn)品詳情 ---
MASW-011151
SPDT 反射式開關(guān) DC - 67 GHz,超寬帶
MASW-011151 是一款反射式超寬帶單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān),在 55 GHz 時(shí)具有 1.7 dB 的插入損耗。功率處理能力為 26 dBm。直通路徑中的輸入和輸出回波損耗通常為 16 dB。邏輯電平與標(biāo)準(zhǔn) 1.8、2.5 或 3.3 V CMOS 兼容。所需的偏置電源為 +3.3 V 和 -3.3 V。對于超寬帶應(yīng)用,RF 傳輸線上的阻抗匹配可以進(jìn)一步優(yōu)化高頻插入損耗和回波損耗性能。
MASW-011151 專為測試和測量、航空航天和國防、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施(5G 毫米波)、軍用無線電、雷達(dá)、微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT) 等寬帶應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
MASW-011151 采用絕緣體上硅工藝制造。2.25 mm 層壓封裝無鉛且符合 RoHS
SPDT 反射式開關(guān) DC - 67 GHz,超寬帶
MASW-011151 是一款反射式超寬帶單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān),在 55 GHz 時(shí)具有 1.7 dB 的插入損耗。功率處理能力為 26 dBm。直通路徑中的輸入和輸出回波損耗通常為 16 dB。邏輯電平與標(biāo)準(zhǔn) 1.8、2.5 或 3.3 V CMOS 兼容。所需的偏置電源為 +3.3 V 和 -3.3 V。對于超寬帶應(yīng)用,RF 傳輸線上的阻抗匹配可以進(jìn)一步優(yōu)化高頻插入損耗和回波損耗性能。
MASW-011151 專為測試和測量、航空航天和國防、蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施(5G 毫米波)、軍用無線電、雷達(dá)、微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT) 等寬帶應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
MASW-011151 采用絕緣體上硅工藝制造。2.25 mm 層壓封裝無鉛且符合 RoHS
特征
- 超寬帶:9 kHz 至 67 GHz
- 輸入 P1dB:27.5 dBm
- 輸入 IP3:52 dBm
- 隔離度:45 dB @ 40 GHz
- 隔離度:36 dB @ 55 GHz
- 隔離度:33 dB @ 67 GHz
- 插入損耗:1.3 dB @ 40 GHz
- 插入損耗:1.7 dB @ 55 GHz
- 插入損耗:3.0 dB @ 67 GHz
- 每個(gè)射頻端口的回波損耗:16 dB
- 包括熱開關(guān)在內(nèi)的功率處理能力:26 dBm
- 無低頻雜散
- 兼容 1.8、2.5 和 3.3V CMOS 邏輯
- 2.25 毫米、12 引腳層壓封裝
- 符合 RoHS*
MASW6030G MASW-007074-000100 MASW-008206-000DIE
MASW-007075-000100 MASW-004103-1365 MA4AGSW1
MASWSS0181 MASW-010646 MASWSS0157
MASW-008801 MASW-001150-1316 MASW-008853-000000
MASW20000 MASW-001100-1190 MASW-009588
MASWSS0121 MA4SW610B-1 MASW-003102-13590
MASW-008177-000000 MA4SW210 MASW6010G
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