--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Ic(A) 200
- 封裝 62mm
- 電路結(jié)構(gòu) 半橋
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
FF200R17KE4英飛凌IGBT模塊
FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層,這個附加層被稱為電場終止(fieldstop),這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢。該技術(shù)可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小,加上 IGBT3 具有更高電流密度,它還可擴展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)175℃,運行溫度可達(dá)150℃。低損耗,F(xiàn)F150R12KS4 IGBT模塊具有低EMI噪聲,高可靠性,高運行結(jié)溫等優(yōu)點。主要應(yīng)用在100KW光伏逆變器,電機驅(qū)動,電源等領(lǐng)域。
技術(shù)參數(shù):
? Ic(A),Tc=80℃: 200
? Vce(sat),Max(V): -
? Ton(us): -
? Toff(us): -
? Rth(j-c),K/W: -
? Pc(W): -
? 封裝: 62mm
? 電路結(jié)構(gòu): 半橋
典型應(yīng)用:
? 大功率變流器
? 電機傳動
? UPS系統(tǒng)
? 風(fēng)力發(fā)電機
電氣特性:
? 提高工作結(jié)溫 Tvj op
? 低 VCEsat
? 無與倫比的堅固性
? VCEsat帶正溫度系數(shù)
機械特性:
? 封裝的 CTI > 400
? 高爬電距離和電氣間隙
? 絕緣的基板
? 標(biāo)封裝
? 4KV 交流 1分鐘 絕緣
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