MASW-002103-1363
HMIC硅PIN二極管
MASW-002103-1363 是一種 SPDT、超越、寬帶、單片開關(guān)，使用兩組串聯(lián)和并聯(lián)連接的 PIN 二極管。該器件設(shè)計用于高達 20 GHz 的寬帶、中低信號、高性能、開關(guān)應(yīng)用。它是一種表面貼裝開關(guān)，配置用于優(yōu)化性能，與 MMIC、光束引線和芯片和導(dǎo)線混合設(shè)計相比具有明顯優(yōu)勢。由于 MASW-002103-1363 的 PIN 二極管集成到芯片中并保持在非常接近的位置，因此通常與使用單個組件的其他設(shè)計相關(guān)的寄生效應(yīng)保持在最低限度。為了最大限度地減少寄生效應(yīng)并實現(xiàn)高性能，MASW-002103-1363 采用 MACOM 的專利 HMIC?（異石微波集成電路）工藝制造。這個過程允許硅基座，形成串聯(lián)和并聯(lián)二極管或通孔，嵌入低損耗、低色散玻璃中。低損耗玻璃和在元件之間使用緊密間距的組合使 HMIC 設(shè)備通過低毫米波頻率具有低損耗和高隔離度。頂面完全用氮化硅封裝，還有一層額外的聚合物層，用于防刮擦和防沖擊。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞接頭和陽極氣橋。在芯片的背面添加了金金屬化焊盤，以生產(chǎn)可焊接的超越器件。低損耗玻璃和在元件之間使用緊密間距的組合使 HMIC 設(shè)備通過低毫米波頻率具有低損耗和高隔離度。頂面完全用氮化硅封裝，還有一層額外的聚合物層，用于防刮擦和防沖擊。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞接頭和陽極氣橋。在芯片的背面添加了金金屬化焊盤，以生產(chǎn)可焊接的超越器件。低損耗玻璃和在元件之間使用緊密間距的組合使 HMIC 設(shè)備通過低毫米波頻率具有低損耗和高隔離度。頂面完全用氮化硅封裝，還有一層額外的聚合物層，用于防刮擦和防沖擊。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞接頭和陽極氣橋。在芯片的背面添加了金金屬化焊盤，以生產(chǎn)可焊接的超越器件。
特征
- 工作頻率為 50 MHz 至 20 GHz
- 聚合物劃痕保護
- 氮化物鈍化
- +25°C 時高達 +38 dBm 的 CW 功率處理能力
- 玻璃封裝結(jié)構(gòu)
- 符合 Surmount 封裝，完全單片
- 低寄生電容和電感
- 高隔離
- 低插入損耗
- 最多可使用 26 個
- 可焊
產(chǎn)品規(guī)格
零件號
MASW-002103-1363
描述
HMIC硅PIN二極管
最小頻率(MHz)
50
最大頻率(MHz)
20000
隔離度(dB)
38
插入損耗 (dB)
0.800
IIP3(dBm)
40
CW入射功率(W)
2.0
包裝類別
模具/凸塊模具
包裹
超越模具
ROHS
是的
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