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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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QPD2080D 分立式 GaAs 芯片

型號： QPD2080D

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 20,000
  • 增益（分貝） 11.5
  • OP1dB (dBm 29.5
  • 飽和度(dBm) 29.5
  • 噪聲系數（分貝） 1個
  • PAE （%） 56
  • 電壓（伏） 8個
  • Idq （毫安） 130
  • 包裝（毫米） 0.41 x 0.54 x 0.10

--- 產品詳情 ---

QPD2080D

產品簡介
Qorvo 的 QPD2080D 是一款分立式 800 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2080D 采用 Qorvo 經驗證的標準 0.25um 功率 pHEMT 生產工藝設計。該工藝采用先進技術，可在高漏極偏壓工作條件下優化微波功率和效率。QPD2080D 通常在 P1dB 時提供 29.5dBm 的輸出功率，在 1dB 壓縮時具有 11.5dB 的增益和 56% 的功率附加效率。這種性能使 QPD2080D 適合高效應用。帶有氮化硅的保護涂層提供了一定程度的環境穩健性和防刮擦保護。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 20,000
增益（分貝） 11.5
OP1dB (dBm) 29.5
飽和度(dBm) 29.5
噪聲系數（分貝） 1個
PAE （%） 56
電壓（伏） 8個
Idq （毫安） 130
包裝（毫米） 0.41 x 0.54 x 0.10

 

主要特征
頻率范圍：DC - 20 GHz
典型輸出功率 P1dB：29.5 dBm
12 GHz 時的典型增益：11.5 dB
12 GHz 時的典型 PAE：56%
12 GHz 時的典型 NF：1 dB
無過孔
技術：0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸：0.41 x 0.54 x 0.10 毫米

 

相關型號
QPD2018D
QPD2025D
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QPD2060D
QPD2080D
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QPD2160D
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QPD0010
QPD0011
QPD0012

 

 

 

 

 

 

 

 

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