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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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QPD2120D 分立式 GaAs 芯片

型號： QPD2120D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 20,000
  • 增益（分貝） 11
  • OP1dB (dBm 31
  • 飽和度(dBm) 31
  • 噪聲系數(shù)（分貝） 1個
  • PAE （%） 57
  • 電壓（伏） 8個
  • Idq （毫安 194
  • 包裝（毫米） 0.41 x 0.54 x 0.10

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD2120D

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD2120D 是一款分立式 1200 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2120D 采用 Qorvo 經(jīng)驗證的標(biāo)準(zhǔn) 0.25um 功率 pHEMT 生產(chǎn)工藝設(shè)計。該工藝采用先進(jìn)技術(shù)，可在高漏極偏壓工作條件下優(yōu)化微波功率和效率。QPD2120D 通常在 P1dB 時提供 31dBm 的輸出功率，在 1dB 壓縮時具有 11dB 的增益和 57% 的功率附加效率。這種性能使 QPD2120D 適合高效應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)涂層提供了一定程度的環(huán)境穩(wěn)健性和防刮擦保護(hù)。

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 20,000
增益（分貝） 11
OP1dB (dBm) 31
飽和度(dBm) 31
噪聲系數(shù)（分貝） 1個
PAE （%） 57
電壓（伏） 8個
Idq （毫安） 194
包裝（毫米） 0.41 x 0.54 x 0.10

主要特征
頻率范圍：DC - 20 GHz
典型輸出功率 P1dB：31 dBm
12 GHz 時的典型增益：11 dB
12 GHz 時的典型 PAE：57%
12 GHz 時的典型 NF：1 dB
無過孔
技術(shù)：0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸：0.41 x 0.54 x 0.10 毫米

相關(guān)型號
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QPD2060D
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