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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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QPD2160D 分立式 GaAs 芯片

型號： QPD2160D

--- 產品詳情 ---

QPD2160D 

產品簡介
Qorvo 的 QPD2160D 是一款分立式 1600 微米 pHEMT，工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2160D 采用 Qorvo 經驗證的標準 0.25um 功率 pHEMT 生產工藝設計。該工藝采用先進技術，可在高漏極偏壓工作條件下優化微波功率和效率。QPD2160D 通常在 P1dB 時提供 32.5dBm 的輸出功率，在 1dB 壓縮時具有 10.4dB 的增益和 63% 的功率附加效率。這種性能使 QPD2160D 適合高效應用。帶有氮化硅的保護涂層提供了一定程度的環境穩健性和防刮擦保護。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 20,000
增益（分貝） 10.4
OP1dB (dBm) 32.5
飽和度(dBm) 32.5
噪聲系數（分貝） 1個
PAE （%） 63
電壓（伏） 8個
Idq （毫安） 258
包裝類型 死
包裝（毫米） 0.41 x 0.54 x 0.10

 

主要特征
頻率范圍：DC - 20 GHz
典型輸出功率 P1dB：32.5 dBm
12 GHz 時的典型增益：10.4 dB
12 GHz 時的典型 PAE：63%
12 GHz 時的典型 NF：1 dB
無過孔
技術：0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸：0.41 x 0.54 x 0.10 毫米

 

相關型號
QPD2018D
QPD2025D
QPD2040D
QPD2060D
QPD2080D
QPD2120D
QPD2160D
TQP3M6005
QPD0005
QPD0005M
QPD0006
QPD0007
QPD0009J
QPD0010
QPD0011
QPD0012

 

 

 

 

 

 

 

 

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