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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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QPD1006 分立式晶體管

型號： QPD1006

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 1,200
  • 最大頻率(MHz) 1,400
  • 增益（分貝） 17.5
  • 飽和度(dBm) 54.9
  • 電壓（伏） 45
  • Idq （毫安） 750
  • 包裝類型 Ni50-CW
  • 包裝（毫米） 19 x 17.68 x 4.49

--- 產品詳情 ---

QPD1006

產品簡介
Qorvo 的 QPD1006 是一款 450 W (P3dB) 內部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz 和 50V 電源軌。該器件是 GaN IMFET，完全匹配 50 歐姆，采用行業標準氣腔封裝，非常適合軍用和民用雷達。該器件可以支持脈沖和 CW 操作。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 1,200
最大頻率(MHz) 1,400
增益（分貝） 17.5
飽和度(dBm) 54.9
電壓（伏） 45
Idq （毫安） 750
包裝類型 Ni50-CW
包裝（毫米） 19 x 17.68 x 4.49

 

主要特征
頻率范圍：1.2 - 1.4 GHz
輸出功率 (P3dB)：313 W (CW)，468 W（脈沖）在 1.3 GHz
線性增益：17.5 dB (CW)，17.8 dB（脈沖）在 1.3 GHz
典型 DEFF3dB (CW)：55% (CW)，62.2%（脈沖）在 1.3 GHz
工作電壓：45V（CW），50V（脈沖）
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力

 

相關型號
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