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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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TGF2023-2-02 分立式功率 GaN

型號： TGF2023-2-02

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 18,000
  • 增益（分貝） 21
  • 飽和度(dBm) 40.1
  • PAE （%） 73.3
  • 電壓（伏） 12 至 32
  • Idq （毫安） 50 至 250

--- 產品詳情 ---

TGF2023-2-02

產品簡介
Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。
TGF2023-2-02 通常提供 40.1 dBm 的飽和輸出功率，在 3 GHz 時具有 21 dB 的功率增益。最大功率附加效率為 73.3%，這使得 TGF2023-2-02 適合高效應用。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 18,000
增益（分貝） 21
飽和度(dBm) 40.1
PAE （%） 73.3
電壓（伏） 12 至 32
Idq （毫安） 50 至 250

 

主要特征
頻率范圍：直流至 18 GHz
3 GHz 時標稱 Psat 為 40.1 dBm
73.3% 最大 PAE
21 dB 標稱功率增益
偏置：V D = 12 至 32 V，I DQ = 50 - 250 mA
芯片尺寸：0.82 x 0.92 x 0.10 毫米

 

相關型號
QPD9300
T1G4020036-FL
T1G4020036-FS
T2G4005528-FS
T2G6000528-Q3
T2G6001528-Q3
T2G6001528-SG
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T2G6003028-FS
TGF2023-2-01
TGF2023-2-02
TGF2023-2-05
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TGF2819-FL
TGF2819-FS
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TGF2929-HM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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