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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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TGF2933 分立式GaN 射頻晶體管

型號： TGF2933

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 25,000
  • 增益（分貝） 15
  • 飽和度(dBm) 38.6
  • PAE （%） 57
  • 電壓（伏） 28
  • Idq （毫安） 80
  • 包裝（毫米） 0.83 x 0.55 x 0.10

--- 產品詳情 ---

TGF2933 

產品簡介
Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 電源下工作。該器件采用 Qorvo 成熟的 QGaN15 工藝構建。該器件可以支持脈沖、CW 和線性操作。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 25,000
增益（分貝） 15
飽和度(dBm) 38.6
PAE （%） 57
電壓（伏） 28
Idq （毫安） 80
包裝（毫米） 0.83 x 0.55 x 0.10

 

主要特征
頻率范圍：DC - 25 GHz
輸出功率 (P3dB)：10 GHz 時為 7.2 W
線性增益：10 GHz 時典型值為 15 dB
典型 PAE3dB：10 GHz 時為 57%
10 GHz 時的典型 NF：1.3 dB
工作電壓：28V
CW 和脈沖能力
0.83 x 0.55 x 0.10 芯片

 

相關型號
TGF2933
TGF2954
TGF2965-SM
TGF2977-SM
TGF2978-SM
TGF2979-SM
TGF3015-SM
TGF3020-SM
TGF3021-SM
TQL9066
TQP3M9040
TQP3M9041

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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