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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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TGF2979-SM 分立式 GaN 射頻晶體管

型號： TGF2979-SM

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 12,000
  • 增益（分貝） 11
  • 飽和度(dBm) 43.4
  • PAE （%） 45
  • 電壓（伏） 32
  • Idq （毫安） 150
  • 包裝類型 QFN
  • 包裝（毫米） 4×3

--- 產品詳情 ---

TGF2979-SM

產品簡介
Qorvo 的 TGF2979-SM 是一款 25 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V 電源軌范圍內工作。該器件采用行業標準 4 x 3 mm QFN 封裝，非常適合軍用和民用雷達、陸地移動和軍用無線電通信、航空電子設備和測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 12,000
增益（分貝） 11
飽和度(dBm) 43.4
PAE （%） 45
電壓（伏） 32
Idq （毫安） 150
包裝類型 QFN
包裝（毫米） 4×3

 

主要特征
頻率范圍：DC - 12 GHz
輸出功率 (P3dB)：9.4 GHz 時為 22 W
線性增益：9.4 GHz 時典型值為 11 dB
典型 PAE3dB：9.4 GHz 時為 45%
工作電壓：32V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
4 x 3 毫米封裝

 

相關型號
TGF2933
TGF2954
TGF2965-SM
TGF2977-SM
TGF2978-SM
TGF2979-SM
TGF3015-SM
TGF3020-SM
TGF3021-SM
TQL9066
TQP3M9040
TQP3M9041

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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