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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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UF3C065030K4S 柵極驅動 SiC 器件

型號： UF3C065030K4S

--- 產品參數 ---

  • VDS 最大值(V) 650
  • RDS(on) 27
  • 內徑最大值(A) 85
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質 是的
  • 包裝類型 TO-247-4L

--- 產品詳情 ---

F3C065030K4S

產品簡介
Qorvo 的 UF3C065030K4S 650 V、27 mohm SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝，以生產當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列使用 4 端子 TO-247 封裝展示了非常快速的開關和任何類似額定值設備的最佳反向恢復特性。這些器件非常適合開關電感負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。

 

產品規格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 27
內徑最大值(A) 85
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質 是的
包裝類型 TO-247-4L

 

主要特征
導通電阻 (RDS(on))：27 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護，HBM 2 級

 

相關型號
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