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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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UF3C120080K3S 柵極驅動 SiC FET 器件

型號： UF3C120080K3S

--- 產品參數 ---

  • VDS 最大值(V) 1,200
  • RDS(on) 80
  • 內徑最大值(A) 33
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質 是的
  • 包裝類型 TO-247-3L

--- 產品詳情 ---

UF3C120080K3S 

產品簡介
Qorvo 的 UF3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 TO-247-3L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，與推薦的 RC 緩沖器一起使用時非常適合開關電感負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。

 

產品規格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 80
內徑最大值(A) 33
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質 是的
包裝類型 TO-247-3L

 

主要特征
導通電阻 RDS(on)：80 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護，HBM 2 級

 

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