--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS 最大值(V) 1,200
- RDS(on) 35
- 內(nèi)徑最大值(A) 47
- 一代 第 3 代
- Tj 最大值(°C) 175
- 汽車資質(zhì) 不是
- 包裝類型 D2PAK-7L
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件,基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關 SiC FET 器件. 該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性,非常適合開關電感負載以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 35
內(nèi)徑最大值(A) 47
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 不是
包裝類型 D2PAK-7L
主要特征
導通電阻 (RDS(on)):35 mohm(典型值)
最高工作溫度:175 °C
出色的反向恢復:Qrr = 358 nC
低體二極管 VFSD:1.5 V
低柵極電荷:QG = 43 nC
閾值電壓 VG(th):5 V(典型值)允許 0 至 15 V 驅(qū)動
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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