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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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UJ4SC075018B7S 柵極驅動 SiC FET 器件

型號： UJ4SC075018B7S

--- 產品參數 ---

  • VDS 最大值(V) 750
  • RDS(on) 18
  • 內徑最大值(A) 72
  • 一代 第 4 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質 不是
  • 包裝類型 D2PAK-7L

--- 產品詳情 ---

UJ4SC075018B7S 

產品簡介
Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和卓越的反向恢復特性，非常適合開關電感負載和任何需要標準柵極驅動的應用。

 

產品規格
VDS 最大值(V) 750
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 18
內徑最大值(A) 72
一代 第 4 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質 不是
包裝類型 D2PAK-7L

 

主要特征
導通電阻 (RDS(on))：18 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
出色的反向恢復：Qrr = 125 nC
低體二極管 VFSD：1.14 V
低柵極電荷：QG = 37.8 nC
閾值電壓 VG(th)：4.8 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅動

 

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