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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXGD3103N8 MOSFET 控制器

型號(hào)： ZXGD3103N8

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電源電壓 V CC 15伏
  • 靜態(tài)電源電流 (mA 5.16毫安
  • 漏極電壓 V D 180伏
  • 操作模式 DCM CrCM CCM
  • 開(kāi)關(guān)頻率 (kHz) ≤250 kHz
  • 比例柵極驅(qū)動(dòng)控制 是的
  • 開(kāi)啟時(shí)間 T ON 150納秒
  • 關(guān)斷閾值電壓 (mV 10毫伏
  • 關(guān)斷延遲時(shí)間 TOF 15納秒
  • 柵極源極電流 2.5安
  • 柵極灌電流 6安

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXGD3103N8

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXGD3103 指在驅(qū)動(dòng)配置為理想二極管替代品的 MOSFET。該器件由差分放大器檢測(cè)器級(jí)和大電流驅(qū)動(dòng)器組成。檢測(cè)器監(jiān)控 MOSFET 的反向電壓，這樣如果體二極管發(fā)生導(dǎo)通，就會(huì)向 MOSFET 的柵極引腳施加正電壓。一旦將正電壓施加到柵極，MOSFET 就會(huì)導(dǎo)通，從而降低反向電流。然后，檢測(cè)器的輸出電壓與 MOSFET 漏源反向壓降成正比，并通過(guò)驅(qū)動(dòng)器施加到柵極。此操作可在電流衰減時(shí)快速關(guān)斷。

 

產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
合規(guī)性（只有汽車(chē)支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
電源電壓 V CC  (V) 15伏
靜態(tài)電源電流 (mA) 5.16毫安
漏極電壓 V D  (V) 180伏
操作模式 DCM CrCM CCM
開(kāi)關(guān)頻率 (kHz) ≤250 kHz
比例柵極驅(qū)動(dòng)控制 (Y|N) 是的
開(kāi)啟時(shí)間 T ON (ns) 150納秒
關(guān)斷閾值電壓 (mV) 10毫伏
關(guān)斷延遲時(shí)間 TOFF (ns) 15納秒
柵極源極電流 I SOURCE (A) 2.5安
柵極灌電流 I SINK (A) 6

 

主要特征
5至15V VCC范圍
工作頻率高達(dá)250kHz
180V漏極額定電壓
使體二極管導(dǎo)通最小化的比例柵極驅(qū)動(dòng)
關(guān)斷傳播延遲15ns，關(guān)斷時(shí)間20ns
檢測(cè)器閾值電壓~10mV
備用電流5mA
適用于不連續(xù)模式（DCM）、臨界傳導(dǎo)
模式（CrCM）和連續(xù)模式（CCM）操作

 

相關(guān)型號(hào)
DRDC3105E6
DRDC3105F
ZXGD3101N8
ZXGD3103N8
ZXGD3104N8
ZXGD3105N8
ZXGD3107N8
ZXGD3113W6
ZXTC4591AMCQ
ZXTC6717MC
ZXTC6717MCQ
ZXTC6718MC
ZXTC6718MCQ
ZXTC6719MC
ZXTC6720MC
ZXTD09N50DE6
ZXTD2090E6
ZXTD4591E6
ZXTD617MC
ZXTD618MC
ZXTD619MC
ZXTD6717E6
ZXTD6717E6Q
ZXTD717MC
ZXTD718MC
ZXTD720MC

 

 

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