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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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ZXTN2011Z 低飽和 晶體管

型號： ZXTN2011Z

--- 產品參數 ---

  • 符合 AEC 標準 是的
  • 合規性 汽車
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 100
  • IC (A) 4.5
  • ICM (A) 10
  • PD (W) 2.1
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 31

--- 產品詳情 ---

ZXTN2011Z 

產品簡介
DIODES 的 ZXTN2011Z 這款采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 100V NPN 晶體管具有極低的導通狀態損耗，使其非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅動和電源管理功能。

 

產品規格 
符合 AEC 標準  是的
合規性（只有汽車支持 PPAP） 汽車
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 4.5
ICM (A) 10
PD (W) 2.1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 115
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 31

 

主要特征
bvco>100伏
IC=4.5A高連續電流
ICM=10A峰值脈沖電流
RCE（sat）=31米? 對于低等效導通電阻
低飽和電壓VCE（sat）<60mV@IC=1A
hFE規定高達10A，用于高電流增益保持
無鉛飾面；符合RoHS（注1和2）
不含鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性標準

 

相關型號
ZXTN19100CG
ZXTN19100CZ
ZXTN2005G
ZXTN2005Z
ZXTN2005ZQ
ZXTN2007G
ZXTN2007Z
ZXTN2010A
ZXTN2010G
ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
ZXTN2011G
ZXTN2011Z
ZXTN2018F
ZXTN2018FQ
ZXTN2020F
ZXTN2031F
ZXTN2038F
ZXTN2040F

 

 

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