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ZXTP2013G PNP 中功率 低飽和 晶體管

型號： ZXTP2013G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXTP2013G
  • 名稱 PNP中功率低飽和晶體管
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SMD/DIP

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTP2013G 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTP2013G（PNP, 100V, 5A, SOT223）這種采用 SOT223 封裝的新型低飽和 100V PNP 晶體管提供極低的導通狀態(tài)損耗，使其非常適合用于 DC-DC 電路和各種驅(qū)動和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌       DIODES
型號     ZXTP2013G
名稱      PNP中功率低飽和晶體管
產(chǎn)地       臺灣
封裝       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-100伏
IC=-5A高連續(xù)集電極電流
ICM=-10A峰值脈沖電流
低飽和電壓VCE（SAT）<-90mV@-1A
RSAT=60mΩ，適用于低等效導通電阻
高增益保持規(guī)定的hFE高達-10A
無鉛飾面；符合RoHS（注1和2）
不含鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）
適用于需要特殊更改的汽車應用

 

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