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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN10H220L 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN10H220L

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN10H220L
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H220L 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H220L這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌             DIODES
型號(hào)             DMN10H220L
名稱(chēng)             N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地              臺(tái)灣
封裝              SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.3 nC
CISS Typ (pF) 401 pF


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏


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