--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN10H6D2LFDB
- 名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 U-DFN2020-6
--- 產品詳情 ---
產品簡介
DIODES 的 DMN10H6D2LFDB這種MOSFET被設計為最小化導通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應用。
小型伺服電機控制
功率MOSFET柵極驅動器
切換應用程序
產品規格
品牌 DIODES
型號 DMN10H6D2LFDB
名稱 雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.2 nC
主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏
高漏源電壓額定值
ESD 保護高達 1kV
相關型號
DMN10H6D2LFDB
DMN10H700S
DMN1150UFB
DMN1150UFL3
DMN11M2UCA14
DMN1250UFEL
DMN1260UFA
DMN12M3UCA6
DMN12M7UCA10
DMN12M8UCA10
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DMN14M8UFDF
DMN15H310SE
DMN15H310SK3
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DMN16M8UCA6
DMN16M9UCA6
DMN2004DMK
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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