1000 V、120 mΩ、22 A、TO-263-7 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統、工業電源和可再生能源系統等快速開關設備進行了優化。
1000 V 碳化硅 MOSFET 通過提供具有低導通電阻、極低輸出電容和低源電感的獨特器件，實現低開關損耗和低傳導損耗的完美結合，解決了許多電源設計挑戰。與硅基解決方案相比，Wolfspeed 碳化硅功率器件技術可提高系統功率密度、提高開關頻率、減少元件數量以及縮小電感器、電容器、濾波器和放大器、變壓器等元件的尺寸。
特征
- 整個工作溫度范圍內 Vbr 最低為 1kV（無需降額）
- 具有低輸出電容的高速開關
- 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
- 易于并聯且驅動簡單
- 開爾文源極引腳可減少開關損耗和振鈴
好處
- 降低總體系統成本
- 提高系統效率，同時減小系統尺寸
- 組件數量減少 30%，同時功率密度提高 3 倍以上，輸出功率提高 33%
- 啟用硬開關拓撲
應用領域
- 工業電源
- 可再生能源系統
- 電動汽車快速充電系統
- 電動汽車車載充電
C3M0015065D
C3M0015065K
C3M0025065D
C3M0025065K
C3M0025065J1
C3M0045065D
C3M0045065K
C3M0045065L-TR
E3M0045065K
C3M0045065J1
E3M0060065D
C3M0060065D
C3M0060065K
C3M0060065L-TR
E3M0060065K
C3M0060065J
C3M0120065D
C3M0120065K
C3M0120065L-TR
C3M0120065J
C3M0030090K
C3M0065090D
C3M0065090J
C3M0120090D
C3M0120090J
E3M0120090J
C3M0280090D
C3M0280090J
C3M0065100K
C3M0065100J
C3M0120100K
C3M0120100J
C3M0016120D
C3M0016120K
E3M0016120K
C3M0021120D
C3M0021120K
E3M0021120K
C2M0025120D
C3M0032120D
C3M0032120K
E3M0032120K
C3M0032120J1
C3M0040120D
C3M0040120K
C2M0040120D
E3M0040120K
C3M0040120J1
C3M0075120D-A
C3M0075120K-A
E3M0075120D
C3M0075120D
C3M0075120K
E3M0075120K
C3M0075120J
C2M0080120D
E3M0160120K
C3M0160120D
C2M0160120D
C3M0160120J
C2M0280120D
C3M0350120D
C3M0350120J
C2M0045170P
C2M0045170D
C2M1000170D
C2M1000170J
