650 V、120 mΩ、22 A、TO-247-4 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴展了其碳化硅 (SiC) 技術領先地位，在更廣泛的電源系統中實現更小、更輕且高效的電源轉換。650 V MOSFET 產品系列非常適合高性能工業電源、服務器/電信電源、電動汽車充電系統、儲能系統、不間斷電源和電池管理系統等應用。
特征
- 整個溫度范圍內的低通態電阻
- 低寄生電容
- 具有超低反向恢復的快速二極管
- 高溫操作 (TJ = 175°C)
- 開爾文源極引腳
- 行業標準通孔和 SMT 封裝
- 外形尺寸小
- 低引線電感
- 低熱阻
好處
- 通過降低開關和傳導損耗提高系統效率
- 實現高開關頻率操作
- 提高系統級功率密度
- 減小系統尺寸；重量; 和冷卻要求
- 支持新的硬開關拓撲（圖騰柱 PFC）
應用領域
- 工業電源
- 服務器/電信
- 電動汽車充電系統
- 儲能系統（ESS）
- 不間斷電源 (UPS)
- 電池管理系統 (BMS)
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