900 V、30 mΩ、63 A、TO-247-4 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 擴大了其在碳化硅 (SiC) 技術低電感分立封裝領域的領先地位，具有寬爬電距離和漏極與源極之間的間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時提供適合高污染環境的額外電氣隔離。獨立的開爾文源極引腳可降低電感，從而將開關損耗降低多達 30%。設計人員可以通過從基于硅的三電平拓撲轉向更簡單的兩電平拓撲（通過改進的開關性能實現）來減少元件數量。
特征
- 整個工作溫度范圍內 Vbr 最低為 900V
- 帶驅動源的低阻抗封裝
- 高阻斷電壓和低 R DS(on)
- 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
- 易于并聯且驅動簡單
好處
- 通過降低開關和傳導損耗提高系統效率
- 實現高開關頻率操作
- 提高系統級功率密度
- 減小系統尺寸；重量; 和冷卻要求
- 支持新的硬開關拓撲（圖騰柱 PFC）
應用領域
- 電機控制
- 電動汽車充電系統
- 不間斷電源 (UPS)
- 電池管理系統
- 快速電動汽車充電系統
- 車載充電
- 傳動系統
- 焊接
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