Wolfspeed 通過(guò)推出第三代 650 V 碳化硅 MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位，從而在更廣泛的電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更小、更輕且高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V SiC MOSFET 非常適合高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用。
特征
- 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的低通態(tài)電阻
- 低寄生電容
- 具有超低反向恢復(fù)的快速二極管
- 高溫操作 (Tj = 175°C)
好處
- 通過(guò)降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
- 實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率操作
- 提高系統(tǒng)級(jí)功率密度
- 減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
應(yīng)用領(lǐng)域
- 工業(yè)電源
- 服務(wù)器/電信
- 電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)
- 儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）
- 不間斷電源 (UPS)
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
CPM3-0900-0030A
CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
EPM3-1200-0017D1-R01
EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
CPM2-1200-0025A
CPM3-1200-0032A
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CPM2-1200-0080A
CPM3-1200-0160A
CPM3-1700-R020E
CPM3-3300-R050A
