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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2710UV 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2710UV

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2710UV
  • 名稱 雙 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2710UV 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2710UV 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2710UV
名稱               雙 N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               SOT563


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.92 A
PD @TA = +25°C (W) 0.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 750 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
CISS Typ (pF) 42 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓 VGS(TH) < 1V
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝
ESD保護柵極


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