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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN3061S N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN3061S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN3061S
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3061S   

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3061S 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時(shí)保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN3061S
名稱                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                SOT23

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.3 A
PD @TA = +25°C (W) 1.23 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 98 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 196 (@3.3V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.5 nC
CISS Typ (pF) 233 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏

 

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