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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN52D0UVA 50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN52D0UVA

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN52D0UVA
  • 名稱 50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT563

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN52D0UVA 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN52D0UVA 這這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時(shí)保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN52D0UVA
名稱                50V 雙N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                 SOT563

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.48@5V A
PD @TA = +25°C (W) 0.89 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2000@5V mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 4000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.49 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.5 nC
CISS Typ (pF) 39 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓，最大值 1.0V
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝
靜電放電保護(hù)

 

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