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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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DMNH6008SCT 60V +175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMNH6008SCT

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMNH6008SCT
  • 名稱 60V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 TO220AB

--- 產品詳情 ---

DMNH6008SCT 

產品簡介
DIODES 的 DMNH6008SCT 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產品規格 
品牌                DIODES
型號                DMNH6008SCT
名稱                60V +175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                臺灣
封裝                TO220AB

 

產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 130 A
PD @TC = +25°C (W) 210 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 21 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40 nC
CISS Typ (pF) 2596 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V

 

主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環境溫度環境的理想選擇
100% 非鉗位感應開關 – 確保更可靠、更穩健的最終應用
低輸入電容
低輸入/輸出泄漏

 

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