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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP6018LPSQ 60V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP6018LPSQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP6018LPSQ
  • 名稱(chēng) 60V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP6018LPSQ 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP6018LPSQ 該 MOSFET 該 MOSFET 旨在滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，并由 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP6018LPSQ
名稱(chēng)                  60V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 60 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 113 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 26 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
CISS Typ (pF) 3505 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 未鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快


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