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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP6023LFGQ 60V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP6023LFGQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP6023LFGQ
  • 名稱 60V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP6023LFGQ  

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP6023LFGQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，受 PPAP 支持，非常適合用于：背光、電源管理功能和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMP6023LFGQ
名稱                  60V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  POWERDI?3333-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 33 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 26.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.1 nC
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
低 R DS(ON) – 確保狀態(tài)損失最小化
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品


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