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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMPH1006UPSQ 12V 175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMPH1006UPSQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMPH1006UPSQ
  • 名稱 12V 175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMPH1006UPSQ  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMPH1006UPSQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMPH1006UPSQ
名稱                  12V 175°C P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  PowerDI5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 80 A
PD @TA = +25°C (W) 3.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 72 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 124 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 6334 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開關(guān)速度快


相關(guān)型號(hào)
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DMPH6050SK3Q
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DMPH6050SPDQ
DMPH6050SSD
DMPH6050SSDQ
DMPH6250S
DMPH6250SQ
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DMS2120LFWB
DMS2220LFDB
DMS3014SFGQ
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DMT10H009LCG
DMT10H009LFG
DMT10H009LH3
DMT10H009LK3
DMT10H009LPS
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DMT10H009SCG
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