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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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DMT10H015LCG 100V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMT10H015LCG

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMT10H015LCG
  • 名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 V-DFN3333-8 (Type B)

--- 產品詳情 ---

DMT10H015LCG 

產品簡介
DIODES 的 DMT10H015LCG 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON),同時保持卓越的開關性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關。

 

產品規格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT10H015LCG
名稱                 100V N 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                  V-DFN3333-8 (Type B)

 

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.4 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 34 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 26 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 33.3 nC
CISS Typ (pF) 1871 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
生產中 100% 未鉗位感應開關 (UIS) 測試
高轉換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態損耗
低輸入電容
開關速度快


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