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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMT10H4M5LPS 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMT10H4M5LPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMT10H4M5LPS
  • 名稱 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT10H4M5LPS 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMT10H4M5LPS
名稱                 100V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  PowerDI?5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 19 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
PD @TC = +25°C (W) 113 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.3 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6.2 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 80 nC
CISS Typ (pF) 4843 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開關(guān) (UIS) 測試 – 確保最終應(yīng)用更加可靠和穩(wěn)健
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開關(guān)速度快


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