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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH4008LFDFW 40V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMTH4008LFDFW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH4008LFDFW
  • 名稱 40V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH4008LFDFW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH4008LFDFW 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低
電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH4008LFDFW
名稱                  40V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                   U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 11.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 18 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 14.2 nC
CISS Typ (pF) 1030 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20 V


主要特征
額定溫度為+175°C–非常適合高環(huán)境溫度環(huán)境
100%無阻尼感應(yīng)開關(guān)，生產(chǎn)測試-
確保更加可靠和穩(wěn)健的最終應(yīng)用程序
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2


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